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PHB160NQ08T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHB160NQ08T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

89.38 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-11-27 23:00:00

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PHB160NQ08T规格书详情

描述 Description

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

特性 Features

■ Standard level threshold

■ Very low on-state resistance.

Applications

■ Motors, lamps, solenoids

■ Uninterruptable power supplies

■ DC-to-DC converters

■ General industrial applications

产品属性

  • 型号:

    PHB160NQ08T

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH-75

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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