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PHB18NQ10T中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHB18NQ10T

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

345.19 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 20:00:00

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PHB18NQ10T规格书详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 90mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

产品属性

  • 型号:

    PHB18NQ10T

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH-100

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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