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PHB37N06T	文件：69.18 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB37N06T	文件：1.32096 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Logic-LevelGateDrive •FastSwitching •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
EMB37N06A	文件：224.89 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)37mΩ ID20A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
PHB37N06LT	文件：344.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=32mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB37N06LT	文件：79.11 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP37N06LTissup	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD37N06LT	文件：299.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=32mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD37N06LT	文件：896.95 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHD37N06LT	文件：79.11 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP37N06LTissup	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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详细参数

型号：
PHB37N06T
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
TrenchMOS transistor Standard level FET

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