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PHB37N06T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHB37N06T

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

文件大小

69.18 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-11-27 10:12:00

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PHB37N06T规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

产品属性

  • 型号:

    PHB37N06T

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 37A I(D) | SOT-404

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
08+
TO-263
20000
普通
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22+
NA
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