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PHB37N06T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

PHB37N06T
厂商型号

PHB37N06T

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

文件大小

69.18 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-6-26 11:11:00

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PHB37N06T规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

产品属性

  • 型号:

    PHB37N06T

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 37A I(D) | SOT-404

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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