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PHB33NQ20T规格书详情
General description
Standard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.
特性 Features
■ Low on-state resistance
■ Fast switching
■ Low thermal resistance
■ Low gate charge.
Applications
■ DC-to-DC primary side switching.
产品属性
- 型号：
PHB33NQ20T
- 功能描述：
MOSFET TRENCHMOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
35615 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
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询价 | ||
恩XP |
19+ |
TO-263/D2PAK |
200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
2511 |
N/A |
6000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
恩XP |
1822+ |
D2PAK |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
6000 |
原装现货订货价格优势 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
TO-263 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 |
