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PHB32N06LT中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

PHB32N06LT
厂商型号

PHB32N06LT

功能描述

N-channel enhancement mode field effect transistor

文件大小

274.27 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

原厂标识

PHILIPS

数据手册

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更新时间

2025-8-6 12:29:00

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PHB32N06LT规格书详情

描述 Description

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology.

特性 Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Logic level compatible.

Applications

■ General purpose switching

■ Switched mode power supplies.

产品属性

  • 型号:

    PHB32N06LT

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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