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PHB27NQ10T规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.
FEATURES
• ’Trench’ technology
• Low on-state resistance
• Fast switching
• Low thermal resistance
Applications:-
• d.c. to d.c. converters
• switched mode power supplies
产品属性
- 型号:
PHB27NQ10T
- 功能描述:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
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恩XP |
24+ |
TO-263 |
80000 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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恩XP |
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SOT-263 |
100000 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO-263 |
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恩XP |
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TO-263 |
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恩XP |
24+ |
TO-263 |
2400 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||||
PHI |
17+ |
TO-263 |
6200 |
询价 |