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PHB21N06T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

PHB21N06T
厂商型号

PHB21N06T

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

文件大小

69.23 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-29 13:31:00

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PHB21N06T规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

产品属性

  • 型号:

    PHB21N06T

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 21A I(D) | SOT-404

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PH
24+
TO-263
2265
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PH
23+24
TO-263
59630
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
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