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PHB20NQ20T规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 0.13Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·General Industrial Applications
·Power Motor Control
产品属性
- 型号:
PHB20NQ20T
- 功能描述:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
原厂原封装 |
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24+ |
N/A |
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恩XP |
25+ |
SOT-404 |
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恩XP |
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SOT-404 |
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恩XP |
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SOT-404 |
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