PHB20N06T中文资料安世数据手册PDF规格书
PHB20N06T规格书详情
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in
computing, communications, consumer and industrial applications only.
1.2 Features and benefits
Low conduction losses due to low
on-state resistance
Suitable for high frequency
applications due to fast switching
characteristics
1.3 Applications
DC-to-DC convertors
Switched-mode power supplies
产品属性
- 型号：
PHB20N06T
- 功能描述：
MOSFET RAIL MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
28800 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT404 |
7350 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO-263 |
80000 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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询价 | ||
恩XP |
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SOT-263 |
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恩XP |
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TO-263 |
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恩XP |
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PHI |
24+ |
TO-263 |
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恩XP |
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PH |
24+ |
SOT404TO-263D2PAK |
8866 |
询价 |
