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PHB20N06T中文资料恩XP数据手册PDF规格书

PHB20N06T
厂商型号

PHB20N06T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

382.04 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 未知制造商
企业简称

恩XP

中文名称

未知制造商

数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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PHB20N06T规格书详情

General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Features and benefits

■ Low conduction losses due to low on-state resistance

■ Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics

Applications

■ DC-to-DC convertors

■ Switched-mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    PHB20N06T

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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