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PHB130N03T	文件：65.44 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintend	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP130N03LT	文件：371.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP130N03LT	文件：51.49 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP130N03LTissupp	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP130N03T	文件：59.23 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
RLW130N03	文件：1.10923 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RMW130N03	文件：1.1084 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RMW130N03	文件：1.12555 Mbytes Page：7 Pages	4.5VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RQA130N03	文件：178.21 Kbytes Page：5 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS130N03	文件：82.76 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Application Powerswitching,DC/DCconverter.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS130N03	文件：60.1 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,13A) ●Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallandSurfaceMountPackage(SOP8). ●Application Powerswitching,DC/DCconverter. ●Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
PHB130N03T
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404

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