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PHW20N50E	文件：93.34 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. FEATURES •Repet	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PJZ20N50	文件：583.48 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PSM20N50CT	文件：943.72 Kbytes Page：8 Pages	20A500VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
RFP-20N50TP	文件：498.72 Kbytes Page：2 Pages	AluminumNitrideTerminations	ANARENanaren 安伦	ANAREN
RFP-20N50TPC	文件：502.77 Kbytes Page：2 Pages	AluminumNitrideTerminations	ANARENanaren 安伦	ANAREN
RFP-20N50TPR	文件：499.69 Kbytes Page：2 Pages	AluminumNitrideTerminations	ANARENanaren 安伦	ANAREN
SIHA20N50E	文件：164.12 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHA20N50E	文件：319.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHA20N50E	文件：173.62 Kbytes Page：8 Pages	Consumerelectronics	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB20N50E	文件：201.21 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB20N50E	文件：322.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHB20N50E	文件：208.39 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFB20N50K	文件：204.02 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •LowRDS(on) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHFB20N50K	文件：334.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFB20N50K	文件：858.46 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFB20N50K	文件：3.3763 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SiHG20N50C	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG20N50C	文件：189.26 Kbytes Page：8 Pages	HighPeakCurrentCapability FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •HighPeakCurrentCapability •dV/dtRuggedness •ImprovedTrr/Qrr •ImprovedGateCharge •HighPowerDissipationsCapability •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG20N50C	文件：320.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive ·DC-DCconverter ·Powerswitchandsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG20N50C	文件：420.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多PF20N50HA供应商更新时间2024-9-26 17:30:00

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