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SIHG20N50C中文资料PDF规格书
SIHG20N50C规格书详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• Low Figure-of-Merit Ron x Qg
• 100 Avalanche Tested
• High Peak Current Capability
• dV/dt Ruggedness
• Improved Trr/Qrr
• Improved Gate Charge
• High Power Dissipations Capability
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
产品属性
- 型号:
SIHG20N50C
- 功能描述:
MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
21+ |
TO-247 |
6980 |
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VISHAY |
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TO-247 |
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VISH |
23+ |
TO-247 |
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TO-247 |
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