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SIHG20N50C	文件：189.26 Kbytes Page：8 Pages	High Peak Current Capability FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •HighPeakCurrentCapability •dV/dtRuggedness •ImprovedTrr/Qrr •ImprovedGateCharge •HighPowerDissipationsCapability •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG20N50C	文件：320.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive ·DC-DCconverter ·Powerswitchandsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SiHG20N50C	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG20N50C	文件：420.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG20N50C-E3	文件：187.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •HighPeakCurrentCapability •dV/dtRuggedness •ImprovedTrr/Qrr •ImprovedGateCharge •HighPowerDissipationsCapability •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG20N50C_17	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG20N50C_V01	文件：219.58 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG20N50C-E3	文件：219.58 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG20N50E	文件：208.01 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG20N50E	文件：444.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SIHG20N50C
功能描述：
MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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