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SIHG20N50C-E3

Power MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • High Peak Current Capability • dV/dt Ruggedness • Improved Trr/Qrr • Improved Gate Charge • High Power Dissipations Capability • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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威世威世科技公司

SIHG20N50C-E3

Power MOSFET

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SIHG22N60E-GE3

TO-247

VISHAY/威世

SIHP068N60EF-GE3

TO-22

VishayVishay Siliconix

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上传:深圳市中广亿科技发展有限公司

SII1161CTU

TQFP100

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SIHG20N50C-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIHG20N50C-E3供应商 更新时间2025-11-19 17:41:00