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SIHG20N50C-E3

Power MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •HighPeakCurrentCapability •dV/dtRuggedness •ImprovedTrr/Qrr •ImprovedGateCharge •HighPowerDissipationsCapability •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHG20N50C-E3

Power MOSFET

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威世科技威世科技半导体

详细参数

  • 型号:

    SIHG20N50C-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIHG20N50C-E3供应商 更新时间2025-7-25 17:06:00