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SIJ482DP-T1-GE3

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

文件:218.61 Kbytes 页数:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIL10649CL160

QFP

SILICONLNAGA

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICONLNAGA

SIL1161CTU

TQFP

SILICON

SIL163BCTG100

TQFP100

SILICON LABS/芯科

上传:深圳市澳亿芯电子科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SIL8784CNUC

QFN88

详细参数

  • 型号:

    SIJ482DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 80V 6.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIJ482DP-T1-GE3供应商 更新时间2025-12-3 11:06:00