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SIHG20N50C-E3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
SIHG20N50C-E3规格书详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• Low Figure-of-Merit Ron x Qg
• 100 Avalanche Tested
• High Peak Current Capability
• dV/dt Ruggedness
• Improved Trr/Qrr
• Improved Gate Charge
• High Power Dissipations Capability
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
产品属性
- 型号：
SIHG20N50C-E3
- 功能描述：
MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
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