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SiHU5N50D-GE3

D Series Power MOSFET

FEATURES • Optimal design     - Low area specific on-resistance     - Low input capacitance (Ciss)     - Reduced capacitive switching losses     - High body diode ruggedness     - Avalanche energy rated (UIS) • Optimal efficiency and operation     - Low cost     - Simple gate drive circui

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHD5N50D-GE3

D Series Power MOSFET

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SILICONI

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SII163BCTG100

LQFP-100

详细参数

  • 型号:

    SIHU5N50D-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIHU5N50D-GE3供应商 更新时间2026-2-7 14:16:00