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SiHG20N50C规格书详情
特性 Features
·Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
·Low Figure-of-Merit Ron x Qg
·100 % Avalanche Tested
技术参数
- 型号：
SIHG20N50C
- 功能描述：
MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
8176 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-247 |
45000 |
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VISH |
24+ |
TO-247 |
880000 |
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VISH |
24+ |
TO-247 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
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VISHAY/威世 |
25+ |
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IR |
24+ |
TO247 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
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VISHAY |
TO247 |
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vishay |
23+ |
NA |
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