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PHN210T	文件：438.05 Kbytes Page：14 Pages	Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET 1.1 General description Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and ben 文件：438.05 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHN210T	文件：94.2 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-channel enhancement mode 文件：94.2 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
PHN210T	文件：300 bytes Page：1 Pages	PHN210T - Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET - Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. ·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics\n·Suitable for logic level gate drive sources\n·Suitable for low gate drive sources;	Nexperia 安世	Nexperia
PM210	文件：350.09 Kbytes Page：5 Pages	Ultra-linear Mixer 文件：350.09 Kbytes 页数：5 Pages	SJM	SJM
PM210	文件：447.75 Kbytes Page：9 Pages	Ultra-linear Mixer 文件：447.75 Kbytes 页数：9 Pages	SJM	SJM
PMBFJ210	文件：100.83 Kbytes Page：12 Pages	N-channel field-effect transistors DESCRIPTION N-channel symmetrical junction field-effect transistor in a SOT23 package. FEATURES • High speed switching • Interchangeability of drain and source connections • High impedance. APPLICATIONS • Analog switches • Choppers, multiplexers and commutators • Audio amplifiers. 文件：100.83 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
2
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
100
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
200
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
3.4
Q_GD [typ] (nC)：
0.7
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
6
P_tot [max] (W)：
2
Q_r [typ] (nC)：
55
V_GSth [typ] (V)：
2
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
250
C_oss [typ] (pF)：
88
Date：
2011-01-05

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