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PHN210T	文件：438.05 Kbytes Page：14 Pages	Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET 1.1Generaldescription DualintermediatelevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandben	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHN210T	文件：300 bytes Page：1 Pages	PHN210T - Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET ; ·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics\n·Suitable for logic level gate drive sources\n·Suitable for low gate drive sources\n; Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET - Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PHN210T	文件：94.2 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-channel enhancement mode	ETC	ETC
PM210	文件：350.09 Kbytes Page：5 Pages	Ultra-linearMixer	SJM SJM Prewell. All Rights Reserved.	SJM
PM210	文件：447.75 Kbytes Page：9 Pages	Ultra-linearMixer	SJM SJM Prewell. All Rights Reserved.	SJM
PMBFJ210	文件：100.83 Kbytes Page：12 Pages	N-channelfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channelsymmetricaljunctionfield-effecttransistorinaSOT23package. FEATURES •Highspeedswitching •Interchangeabilityofdrainandsourceconnections •Highimpedance. APPLICATIONS •Analogswitches •Choppers,multiplexersandcommutators •Audioamplifiers.	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PM-OM210	文件：159.88 Kbytes Page：5 Pages	COMMONMODELINECHOKES	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PMR210	文件：48.72 Kbytes Page：2 Pages	RCunit,classX1,metallizedpaperwithintegratedresistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PMS210	文件：241.01 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifier Features Glasspassivatedchipjunction Ideallysuitedforautomaticassembly Savespaceonprintedcircuitboards Ultrathinprofilepackageforspaceconstrainedutilization LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 Halogen-freeaccordingtoIEC61249standard MechanicalData	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
POPA210ID	文件：2.40849 Mbytes Page：38 Pages	OPAx2102.2-nV/?숰zPrecision,Low-Power,36-VOperationalAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

技术参数

Package name：
SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
2
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
100
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
200
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
3.4
Q_GD [typ] (nC)：
0.7
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
6
P_tot [max] (W)：
2
Q_r [typ] (nC)：
55
V_GSth [typ] (V)：
2
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
250
C_oss [typ] (pF)：
88
Date：
2011-01-05

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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