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PHN203	文件：98.6 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHN203issuppliedintheSOT96	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PHN203	文件：204.1 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET Generaldescription DuallogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Suitable	ETC	ETC
PHN203	文件：767.02 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription DuallogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHN203	文件：300 bytes Page：1 Pages	PHN203 - Dual N-channel TrenchMOS logic level FET; ·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics\n·Suitable for logic level gate drive sources\n; Dual N-channel TrenchMOS logic level FET - Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PM-OM203	文件：159.88 Kbytes Page：5 Pages	COMMONMODELINECHOKES	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
POS-203	文件：57.34 Kbytes Page：1 Pages	RACKMOUNTPOWEROUTLETSTRIP(20AMP)	BUD Bud Industries, Inc.	BUD
PRT-203ABSFLTD	文件：533.42 Kbytes Page：4 Pages	Relay	GOODSKYGOOD SKY ELECTRIC CO., LTD. 国兴国兴电工股份有限公司	GOODSKY
PRT-203ABSHLTD	文件：533.42 Kbytes Page：4 Pages	Relay	GOODSKYGOOD SKY ELECTRIC CO., LTD. 国兴国兴电工股份有限公司	GOODSKY
PRT-203ABWFLTD	文件：533.42 Kbytes Page：4 Pages	Relay	GOODSKYGOOD SKY ELECTRIC CO., LTD. 国兴国兴电工股份有限公司	GOODSKY
PRT-203ABWHLTD	文件：533.42 Kbytes Page：4 Pages	Relay	GOODSKYGOOD SKY ELECTRIC CO., LTD. 国兴国兴电工股份有限公司	GOODSKY

技术参数

Package name：
SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
2
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
55
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
6.3
Q_GD [typ] (nC)：
3
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
14.6
P_tot [max] (W)：
2
V_GSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
560
C_oss [typ] (pF)：
125
Date：
2011-01-05

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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