PHN203数据手册Nexperia中文资料规格书
PHN203规格书详情
描述 Description
Dual N-channel TrenchMOS logic level FET - Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
特性 Features
·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
·Suitable for logic level gate drive sources
应用 Application
·DC-to-DC converters
·Lithium-ion battery applications
技术参数
- 制造商编号
：PHN203
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SO8
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：2
- V_DS [max] (V)
：30
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：30
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：55
- T_j [max] (°C)
：150
- I_D [max] (A)
：6.3
- Q_GD [typ] (nC)
：3
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)
：14.6
- P_tot [max] (W)
：2
- V_GSth [typ] (V)
：1.5
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：560
- C_oss [typ] (pF)
：125
- Date
：2011-01-05
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIP |
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