PHN203中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PHN203规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications.
The PHN203 is supplied in the SOT96-1 (SO8) surface mounting package.
FEATURES
• Dual device
• Low threshold voltage
• Fast switching
• Logic level compatible
• Surface mount package
产品属性
- 型号：
PHN203
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原装 |
1923+ |
SMD-8 |
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PHI |
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PHI |
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SOP |
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恩XP |
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