PHN203中文资料安世数据手册PDF规格书
PHN203规格书详情
1.1 General description
Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in
computing, communications, consumer and industrial applications only.
1.2 Features and benefits
Suitable for high frequency
applications due to fast switching
characteristics
Suitable for logic level gate drive
sources
1.3 Applications
DC-to-DC converters
Lithium-ion battery applications
产品属性
- 型号：
PHN203
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
250 |
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恩XP |
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PHI |
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恩XP |
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恩XP |
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SOP-8 |
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PHI |
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PHILIP |
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恩XP |
24+ |
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