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PF01410A	文件：25.36 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone Features •4.8Voperation2stageamplifier •Smallpackage •Highefficiency:45Typ •Highspeedswitching:1µsec Application •ForGSMclass4890to915MHz	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01411	文件：25.87 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features •Highgain3stageamplifier:0dBminput •Leadlessthin&Smallpackage:2mmMax,0.2cc •Highefficiency:45Typat3.8W •Widegaincontrolrange:90dBTyp Application •ForE-GSMclass4880to915MHz •For4.8Vnominalbatteryuse	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01411A	文件：25.87 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features •Highgain3stageamplifier:0dBminput •Leadlessthin&Smallpackage:2mmMax,0.2cc •Highefficiency:45Typat3.8W •Widegaincontrolrange:90dBTyp Application •ForE-GSMclass4880to915MHz •For4.8Vnominalbatteryuse	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01411B	文件：26.54 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features •Highgain3stageamplifier:0dBminput •Leadlessthin&Smallpackage:2mmMax,0.2cc •Highefficiency:45Typat35.5dBm •Widegaincontrolrange:70dBTyp Application •ForE-GSMclass4880to915MHz •For3.5Vnominalbatteryuse	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01412	文件：25.87 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features •Highgain3stageamplifier:0dBminput •Leadlessthin&Smallpackage:2mmMax,0.2cc •Highefficiency:45Typat3.8W •Widegaincontrolrange:90dBTyp Application •ForGSMclass4890to915MHz •For5.5VnominalDC/DCconverteruse	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01412A	文件：25.87 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features •Highgain3stageamplifier:0dBminput •Leadlessthin&Smallpackage:2mmMax,0.2cc •Highefficiency:45Typat3.8W •Widegaincontrolrange:90dBTyp Application •ForGSMclass4890to915MHz •For5.5VnominalDC/DCconverteruse	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF0210	文件：47.88 Kbytes Page：12 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for ADC Mobile Phone Features •Highefficiency:34TypforCW 30Typforπ/4-DQPSK •Lowinputpower:0dBmave.Typforπ/4-DQPSK •Simplebiascircuit •Highspeedswitching:8µsTyp	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF03	文件：40.42 Kbytes Page：1 Pages	40-860 MHz. Ultra-linear Opto Receiver Amplifier 40-860MHz.Ultra-linearOptoReceiverAmplifier Features UltraHighLinearitywithLowNoise IndependentDCSupplypinforOpticaldiode(PFO4Model)	MACOM Tyco Electronics	MACOM
PF0310A	文件：36.84 Kbytes Page：10 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for VHF Band Features •Smallpackage:30×10×5.9mm •Highefficiency:55Typ •Lowpowercontrolcurrent:0.5mAMax	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF0311	文件：42.13 Kbytes Page：11 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for VHF Band Features •Smallpackage:30×10×5.9mm •Highefficiency:50Typ •Lowpowercontrolcurrent:0.5mAMax Application VHFBand150to174MHz	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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产品属性

产品编号：
PF0
制造商：
Semtech Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
850mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
18pF @ 5V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
轴向
描述：
DIODE GEN PURP 1KV 850MA AXIAL

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