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PF01411B	文件：26.54 Kbytes Page：4 Pages	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone Features •Highgain3stageamplifier:0dBminput •Leadlessthin&Smallpackage:2mmMax,0.2cc •Highefficiency:45Typat35.5dBm •Widegaincontrolrange:70dBTyp Application •ForE-GSMclass4880to915MHz •For3.5Vnominalbatteryuse	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
01411	文件：127.94 Kbytes Page：2 Pages	Carolprene짰JacketedTypeSOOW/SJOOW	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
PF01411	文件：25.87 Kbytes Page：4 Pages	MOSFETPowerAmplifierModuleforE-GSMHandyPhone Features •Highgain3stageamplifier:0dBminput •Leadlessthin&Smallpackage:2mmMax,0.2cc •Highefficiency:45Typat3.8W •Widegaincontrolrange:90dBTyp Application •ForE-GSMclass4880to915MHz •For4.8Vnominalbatteryuse	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PF01411A	文件：25.87 Kbytes Page：4 Pages	MOSFETPowerAmplifierModuleforE-GSMHandyPhone Features •Highgain3stageamplifier:0dBminput •Leadlessthin&Smallpackage:2mmMax,0.2cc •Highefficiency:45Typat3.8W •Widegaincontrolrange:90dBTyp Application •ForE-GSMclass4880to915MHz •For4.8Vnominalbatteryuse	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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