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PD84010TR-E	文件：376.43 Kbytes Page：14 Pages	RF power transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description The PD84010-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 7.5V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD84010-E boasts the excellen 文件：376.43 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
PD84010TR-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz	ST 意法半导体	ST
PD84010TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 40V 870MHZ 10PWRSOIC	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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PD84010S-E	文件：376.43 Kbytes Page：14 Pages	RF power transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description The PD84010-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 7.5V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD84010-E boasts the excellen 文件：376.43 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
PD84010TR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
870MHz
增益：
16.3dB
额定电流（安培）：
8A
功率 - 输出：
2W
封装/外壳：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
供应商器件封装：
PowerSO-10RF（成形引线）
描述：
FET RF 40V 870MHZ 10PWRSOIC

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