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PD84010TR-E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

PD84010TR-E

参数属性

PD84010TR-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线);包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 40V 870MHZ 10PWRSOIC

功能描述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz
FET RF 40V 870MHZ 10PWRSOIC

封装外壳

PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-9 17:10:00

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PD84010TR-E规格书详情

简介

PD84010TR-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD84010TR-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    PD84010TR-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    870MHz

  • 增益:

    16.3dB

  • 额定电流(安培):

    8A

  • 功率 - 输出:

    2W

  • 封装/外壳:

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)

  • 供应商器件封装:

    PowerSO-10RF(成形引线)

  • 描述:

    FET RF 40V 870MHZ 10PWRSOIC

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