| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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STN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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6年
留言
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ST(意法半导体)N/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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STMicroelectronicsN/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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5年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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8年
留言
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ST/意法TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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3年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
22+ |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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6年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
25+ |
原装,请咨询 |
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5年
留言
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STNA |
60000 |
26+ |
只有原装 可配单 |
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15年
留言
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ST/意法SMD |
32360 |
25+ |
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ST/意法全新特价PD85025-E即刻询购立享优惠#长期有货 |
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6年
留言
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ST/意法半导体10RF-Formed-4 |
16960 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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1年
留言
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ST/意法半导体10RF-Formed-4 |
16900 |
24+ |
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈! |
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13年
留言
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ST/意法SMD |
1566 |
21+ |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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15年
留言
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ST/意法SMD |
1566 |
2023+ |
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十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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10年
留言
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ST原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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9年
留言
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ST/意法半导体10RF-Formed-4 |
12700 |
23+ |
买原装认准中赛美 |
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1年
留言
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ST/意法半导体10RF-Formed-4 |
20000 |
25+ |
公司只有正品,实单可谈 |
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10年
留言
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ST/意法半导体10RF-Formed-4 |
8860 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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6年
留言
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ST-意法半导体SO-10RF |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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ST/意法TO-59 |
95430 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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8年
留言
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ST/意法TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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PD85025图片
PD85025-E价格
PD85025-E价格:¥130.2256品牌:STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD85025-E多少钱,想知道PD85025-E价格是多少?参考价:¥130.2256。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,PD85025-E批发价格及采购报价,PD85025-E销售排行榜及行情走势,PD85025-E报价。
PD85025-E中文资料Alldatasheet PDF
更多PD85025功能描述:HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF
PD85025C功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Power Trans. LDMOST family RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85025-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85025S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85025STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85025TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

































