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PBSS4160T	文件：466.31 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS4160T	文件：852.82 Kbytes Page：12 Pages	Marking：U5；Package：SOT23；60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiency,reducesheatgeneration •Reducesprint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160T-Q	文件：257.81 Kbytes Page：12 Pages	Marking：U5；Package：SOT23；60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T-Q. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiency,reducesheatgeneration •Reducespri	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160U	文件：324.89 Kbytes Page：15 Pages	Marking：52；Package：SC-70；60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability:ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160V	文件：101.42 Kbytes Page：14 Pages	Marking：41；Package：SOT-666；60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,reducesheatgeneration ■Reducesprinted-circuitboarda	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4160V	文件：251.89 Kbytes Page：12 Pages	Marking：41；Package：SOT666；60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription LowVCEsat(BISS)NPNtransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160V 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160DPN_15	文件：267.84 Kbytes Page：18 Pages	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4160DS_15	文件：216.47 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4160PAN_15	文件：276.45 Kbytes Page：17 Pages	60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4160PANP_15	文件：368.23 Kbytes Page：21 Pages	60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PBSS4160
功能描述：
两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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