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PR6002

6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER

Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

PR6002G

6.0AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

PR6002-T

6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

PR6002-T

6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER

Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

PSEK6002

FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)

POWERSEM

Powersem GmbH,

PTC6002

NPNDarlingtonTransistors

NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

R6002END

Nch600V2APowerMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

R6002END

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

R6002ENH

Nch600V2APowerMOSFET

lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RJK6002DJE

600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    PBLS6002D

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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更多PBLS6002D供应商 更新时间2025-7-16 11:29:00