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RJK6002DPD	文件：74.61 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6002DPD	文件：1.08612 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RJK6002DPD	文件：1.77772 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RJK6002DPE	文件：82.89 Kbytes Page：7 Pages	600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RN6002	文件：94.37 Kbytes Page：3 Pages	MotorDriveCircuitApplications/PowerAmplifierApplications/PowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S6002CS	文件：597.53 Kbytes Page：11 Pages	EVSeries2ASensitiveSCRs	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S6002CSRP	文件：597.53 Kbytes Page：11 Pages	EVSeries2ASensitiveSCRs	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S6002ES	文件：597.53 Kbytes Page：11 Pages	EVSeries2ASensitiveSCRs	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
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详细参数

型号：
PBLS6002D
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS LDSWITCH TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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