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PR6002G	文件：133.32 Kbytes Page：2 Pages	6.0A GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY DIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
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PR6002-T	文件：95.32 Kbytes Page：3 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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PTC6002	文件：344.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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R6002ENH	文件：1.69183 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V2APowerMOSFET lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RJK6002DJE	文件：69.33 Kbytes Page：4 Pages	600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6002DPD	文件：1.08612 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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