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PR6002-T	文件：95.32 Kbytes Page：3 Pages	6.0A FAST RECOVERY RECTIFIER Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR6002-T	文件：97.78 Kbytes Page：3 Pages	6.0A FAST RECOVERY RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PR6002-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：R-6，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 6A R6	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
PSEK6002	文件：97.58 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)	POWERSEM Powersem GmbH,	POWERSEM
PTC6002	文件：344.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
R6002END	文件：2.6535 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V2APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6002END	文件：1.79996 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
R6002ENH	文件：1.69183 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V2APowerMOSFET lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RJK6002DJE	文件：69.33 Kbytes Page：4 Pages	600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6002DPD	文件：1.08612 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
PR6002-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
6A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
140pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
R-6，轴向
供应商器件封装：
R-6
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 100V 6A R6

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