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R6002END	文件：2.6535 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 2A Power MOSFET 文件：2.6535 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6002END	文件：1.79996 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.79996 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
R6002END3	文件：2.61179 Mbytes Page：16 Pages	Nch 600V 2A Power MOSFET 文件：2.61179 Mbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6002END3	文件：309.98 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6002END	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 2A 功率MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6002END3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 2A 功率MOSFET R6002END3是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on-resistance\n• Fast switching\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
2.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
2.8
Total gate charge Qg[nC]：
6.5
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多R6002END供应商更新时间2025-10-4 14:02:00

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