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PBSS4350D	文件：316.41 Kbytes Page：9 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350D. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackage	ETC	ETC
PBSS4350D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4350D	文件：70.54 Kbytes Page：8 Pages	NPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350D. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacementforSOT89/SOT223standar	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4350D	文件：503.85 Kbytes Page：10 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackagedtransistorsduetoenhancedperformance. APPLICATIONS •Supplylineswitchingcircuits •Batterymanagement	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350PAS	文件：284.51 Kbytes Page：13 Pages	50V,3ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350PAS 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabili	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350PAS-Q	文件：285.73 Kbytes Page：13 Pages	50V,3ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350PAS-Q 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350S	文件：79 Kbytes Page：8 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •3Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenerat	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4350SPN	文件：100.84 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPdoublelowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcollectorcurrentgain	ETC	ETC
PBSS4350SPN	文件：696.38 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350SPN	文件：730.36 Kbytes Page：19 Pages	50V,2.7ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多OPA4350EA其他被动元件供应商更新时间2025-7-29 11:00:00

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