| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator | FOX Fox Electronics | FOX | ||
HCMOS3.2x2.5mm3.3VSMDOscillator | FOX Fox Electronics | FOX | ||
P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ·–1.6A,–20V.RDS(ON)=115mW@VGS=–4.5V RDS(ON)=155mW@VGS= | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
P-Channel20-V(D-S)MOSFET GeneralFEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET ●Leadfreeproductisacquired ●Surfacemountpackage APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司 | TUOFENG | ||
SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET | UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体 | UMW | ||
P-Channel20-V(D-S)MOSFET Application ●Load/PowerSwitching ●InterfacingSwitching ●LogicLevelShift | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ·–1.6A,–20V.RDS(ON)=115mW@VGS=–4.5V RDS(ON)=155mW@VGS= | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=-20V RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-1.6A=115mΩ RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-1.3A=155mΩ Features Advancedtrenchprocesstechnology HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | HTSEMI | ||
P-Channel20-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
HCMOS3.3V32.768kHzSMDOscillator | FOX Fox Electronics | FOX | ||
SAWResonator-RemoteControl | TEMEX TEMEX | TEMEX | ||
TheGBC338isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers | ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司 | ETL | ||
NPNSILICONTRANSISTOR Description TheGBC338isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers. Features •HighDCCurrentGain:100~630@VCE=1V,IC=100mA •ComplementarytoGBC328 | GTM 勤益投資控股股份有限公司 | GTM | ||
ALFATSDBoard | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | etc2 | ||
Incrementalencoders | IVOBaomeng Electronics (Shanghai) Co., Ltd 堡盟电子堡盟电子（上海）有限公司 | IVO | ||
ConventionalMDCMobileRadioVersatility&SophisticationontheMove | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | Motorola | ||
HighFrequencyFundamental3.2x2.5mmSMCrystal | GOLLEDGEGolledge Electronics Ltd 高利电子高利电子有限公司 | GOLLEDGE | ||
GaAsMMICSUB-HARMONICALLYPUMPEDMIXER,26-33GHz | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
GeneralPurposeApplications GeneralDescription TheHMC338chipisageneralpurposesub-harmonicallypumped(x2)MMICmixerwithanintegratedLOamplifierwhichcanbeusedasanupconverterordownconverterinthe26to33GHzfrequencyrange.ThechiputilizesaGaAsPHEMTtechnologythatresultsinasmalloverallchi | MICROSS MICROSS | MICROSS | ||
GaAsMMICSUB-HARMONICALLYPUMPEDMIXER,26-33GHz | Hittite HITTITE | Hittite |
详细参数
- 型号：
NTE338
- 制造商：
NTE Electronics
- 功能描述：
Trans GP BJT NPN 24V 3.5A 4-Pin
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
NTE |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
询价 | ||
NTE |
23+ |
50 |
现货供应 |
询价 | |||
NTE |
TO-59 |
39356 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
C&D |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | ||
23+ |
N/A |
98000 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
新 |
148 |
全新原装 货期两周 |
询价 | ||||
2022+ |
144 |
全新原装 货期两周 |
询价 | ||||
NTE |
22+ |
6521 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | |||
NTE |
28533 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十! |
询价 |
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