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FDN338P中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDN338P
厂商型号

FDN338P

功能描述

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

85.19 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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FDN338P规格书详情

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.

特性 Features

· –1.6 A, –20 V. RDS(ON) = 115 mW @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 155 mW @ VGS = –2.5 V

· Fast switching speed

· High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

· SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30 higher power handling capability than SOT23 in the same footprint

Applications

· Battery management

· Load switch

· Battery protection

产品属性

  • 型号:

    FDN338P

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
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