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NTE359

Silicon NPN Transistor RF & Microwave Transistor

Description: RF Power Transistor 20W − 175 MHz Features: Specified 28 Volt, 175MHz Characteristics Output Power = 20 Watts Minimum Gain = 8.2dB Efficiency = 60 Characterized from 125 to 175MHz Includes Series Equivalent Impedances

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NTE

NTE359

RF transistors

NTE

NTS359

350 Watts

文件:345.18 Kbytes 页数:2 Pages

Astec

NTS359

Active power factor correction

文件:725.2 Kbytes 页数:3 Pages

EMERSON-NETWORKPOWER

艾默生

NTS359

Active power factor correction

文件:891.45 Kbytes 页数:5 Pages

ARTESYN

详细参数

  • 型号:

    NTE359

  • 制造商:

    NTE Electronics

  • 功能描述:

    TRANSISTOR NPN SILICON 65V IC=3A PO=20W 125-175MHZ RF POWER AMP

  • 功能描述:

    RF PWR AMP 20W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NTE
23+
1688
房间现货库存:QQ:373621633
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NTE
24+
199
现货供应
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NTE
23+
TO-59
8510
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全新原装 货期两周
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39356
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更多NTE359供应商 更新时间2025-12-4 10:31:00