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NTD50N03R-35G	文件：960.75 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.75 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD50N03R-35G	文件：79.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：79.51 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD50N03RG	文件：79.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：79.51 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD50N03RG	文件：1.0178 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.0178 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD50N03RT4	文件：79.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：79.51 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD50N03RT4G	文件：79.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：79.51 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD50N03RT4G	文件：1.01782 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01782 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD50N03T4G	文件：1.01777 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01777 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD50N06	文件：989.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：989.44 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD50N03R	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，25 V，45 A，单 N 沟道，DPAK 功率 MOSFET，25 V，45 A，单 N 沟道，DPAK • Planar Technology\n• Low RDS(on) to minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTD50
功能描述：
MOSFET 30V 68A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	NTD50N03RT4G	ON	17+	TO-252	6200		询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	NTD50N03R-35G	ON	24+	DPAK	6000	进口原装正品假一赔十,货期7-10天	询价
深圳市一线半导体有限公司	NTD50N03RT4	ON	24+	DPAK4LEADSingleG	8866		询价
深圳市弘为电子有限公司	NTD50N03RT4G	ON	24+	SOP8	1819	原装现货假一罚十	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	NTD50N03RT4G	ON	1716+	?	6500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市华来深电子有限公司	NTD50N03RT4G	ON	23+	TO-252	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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更多NTD50供应商更新时间2026-1-17 16:00:00

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