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NTD60N02R-1G	文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 62 A, 24 V, N-Channel, DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD60N02R-1G	文件：960.55 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
NTD60N02R-1	文件：317.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
NTD6416ANT4G	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON TO252	ON 上传：深圳市凯睿晟科技有限公司	ON
NTE159	文件：0 bytes Page：0 Pages	NTE TO92	NTE NTE Electronics 上传：深圳市融意电子有限公司

详细参数

型号：
NTD60N02R-1G
功能描述：
MOSFET 25V 62A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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