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NTD6414AN-1G

N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 m廓

Features • Low RDS(on) • High Current Capability • 100 Avalanche Tested • AEC Q101 Qualified − NVD6414AN • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

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ONSEMI

安森美半导体

NTD6414AN-1G

N-Channel Power MOSFET

文件:107.64 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD6414AN-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 37mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:316.61 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTD6416ANT4G

TO252

ON

NTE159

TO92

详细参数

  • 型号:

    NTD6414AN-1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 100V 29A 38MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTD6414AN-1G供应商 更新时间2026-1-31 9:38:00