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NTD80N02-1G

Power MOSFET

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • Pb−Free Packages are Available Typical Applications • Power Supplies • Converters • Power Motor Controls • Bridge Circuits

文件:82.7 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD80N02-1G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:960.27 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD80N02-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.78 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTE159

TO92

NTE159IC

TO92

NTE ELECTRONICS

上传:深圳市融意电子有限公司

NTE ELECTRONICS

详细参数

  • 型号:

    NTD80N02-1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 24V 80A 60mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTD80N02-1G供应商 更新时间2026-2-1 22:59:00