选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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ONTO-252 |
15000 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
1000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-252 |
12800 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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ON |
170 |
11+ |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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ON/安森美SOT-252 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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ONTO252 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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ONTO252 |
12800 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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ON/ON Semiconductor/安森美/安TO252 |
170 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ONTO-252 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
留言
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ON最新 |
15236 |
原装正品 现货供应 价格优 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-252(DPAK) |
30000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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OTO-252 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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ONTO-252 |
35890 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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ON/安森美TO-251 |
36980 |
2122+ |
只做原装,支持样品,假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBDPAK |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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ON/安森美TO-220 |
12000 |
2020+ |
原装正品现货 |
NTD85N02R采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NTD85N02R图片
NTD85N02R中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD85N02R功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD85N02R-001功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD85N02R-1G功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD85N02RG功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD85N02RT4功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD85N02RT4G功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube