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NTDV20N06T4G	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, N?묬hannel DPAK MOSFET–Power,N-Channel,DPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotalGateCharge •LowerandTighterVSD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTDV20N06T4G	文件：896.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NTD20N06T4	文件：80.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET20Amps,60Volts,N−ChannelDPAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06T4G	文件：897.18 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD20N06T4G	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,N?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06T4G	文件：80.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET20Amps,60Volts,N−ChannelDPAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
STD20N06T4	文件：899 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
NTDV20N06T4G
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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