首页>NTDV20N06T4G>规格书详情
NTDV20N06T4G中文资料PDF规格书
NTDV20N06T4G规格书详情
MOSFET – Power, N-Channel, DPAK 20 A, 60 V
Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
Features
• Lower RDS(on)
• Lower VDS(on)
• Lower Capacitances
• Lower Total Gate Charge
• Lower and Tighter VSD
• Lower Diode Reverse Recovery Time
• Lower Reverse Recovery Stored Charge
• NTDV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
Typical Applications
• Power Supplies
• Converters
• Power Motor Controls
• Bridge Circuits
产品属性
- 型号：
NTDV20N06T4G
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO252-3 |
8880 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DPAK2W |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
DPAK3 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
DPAK |
99996 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
utc |
2023+ |
TO-252 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
1922+ |
TO-252 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
O |
23+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 |
