| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DPAK |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)IPAK |
7845 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT252 |
90000 |
2020+ |
原装现货/假一罚十/可开增票 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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ON/安森美SOT252 |
3430 |
06+ |
原装现货 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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ONSOT252 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ONSOT252 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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ONSOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳硅原半导体有限公司7年
留言
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ON/安森美SOT252 |
24565 |
诚心经营 原盒原标 正品现货 价格美丽假一罚十 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ONTO-252 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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ONTO-252 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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ONTO-252 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ONTO-252 |
50 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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ON/ON Semiconductor/安森美/安TO-252 |
50 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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ON面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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ONSTO-252 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DPAK |
96562 |
22+ |
NTD65N03R采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTD65N03R图片
NTD65N03R中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD65N03R功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03R-001功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03R-035功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03R-1制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03R-1G功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03R-35制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03R-35G功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03RG功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03RT4功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD65N03RT4G功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
