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NTD78N03R	文件：299.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD78N03R	文件：215.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 25 V, 85 A, Single N?묬hannel, DPAK 文件：215.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD78N03R-1	文件：318.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：318.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD78N03R-001	文件：995.73 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：995.73 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD78N03R-1	文件：215.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 25 V, 85 A, Single N?묬hannel, DPAK 文件：215.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD78N03R-1G	文件：995.73 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：995.73 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD78N03R-1G	文件：215.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 25 V, 85 A, Single N?묬hannel, DPAK 文件：215.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD78N03R-35	文件：215.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 25 V, 85 A, Single N?묬hannel, DPAK 文件：215.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD78N03R-35G	文件：215.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 25 V, 85 A, Single N?묬hannel, DPAK 文件：215.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD78N03RG	文件：215.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 25 V, 85 A, Single N?묬hannel, DPAK 文件：215.4 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTD78N03R
功能描述：
MOSFET 25V 85A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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