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NTD6600NT4G

Power MOSFET 100 V, 12 A, N?묬hannel, Logic Level DPAK

文件:69.79 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD6600NT4

Power MOSFET 100 V, 12 A, N?묬hannel, Logic Level DPAK

文件:69.79 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTE159

TO92

NTE159IC

TO92

NTE ELECTRONICS

上传:深圳市融意电子有限公司

NTE ELECTRONICS

NTF3055L108T1G

SOT223

ON

详细参数

  • 型号:

    NTD6600NT4G

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 12A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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更多NTD6600NT4G供应商 更新时间2026-1-28 14:14:00